SpannungsgesteuertEinfaches ParallelschaltenÜberlastsicherheit (kein ''Second Breakdown'')Durchbruchfest (Avalanchefest)Vorteilhafte Kombination von MOSFET und BipolartransistorenSchaltgeschwindigkeit, Ansteuerleistung und Robustheit entsprechen den Power-MOSFETEinschaltwiderstand ist jedoch deutlich geringer, vergleichbar dem Einschaltwiderstand eines bipolaren Darlington-TransistorsEin IGBT besitzt keine InversdiodeInfineon IGBT-Modul EconoPACK?2 1200 V, BSM 10GD 120DN2